Новости сайта
Меню сайта


Календарь новостей
«  Август 2007  »
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
  12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
2728293031


Форма входа


Поиск по новостям


Друзья сайта


Наш опрос
Чего не хватает сайту?

[ Результаты · Архив опросов ]

Всего ответов: 15


Главная страница » 2007 » Август » 23 » Intel перевела производство Flash-памяти формата NOR на 65-нм технологическую норму
Intel перевела производство Flash-памяти формата NOR на 65-нм технологическую норму
Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции – этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы.

По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.

«Большинство встраиваемых решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие устройства бытовой электроники, – говорит Глен Хоук (Glen Hawk), директор подразделения Intel Flash Products Group. – Беспроводные компоненты Intel типа NOR для беспроводных коммуникаций уже выпускаются в массовых объемах по этой передовой производственной технологии. Мы используем полученные знания и опыт для ускорения разработок и поставок своей продукции».

Переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии для выпуска встраиваемых компонентов позволит Intel продлить жизненный цикл своей продукции, а также расширить ее функциональные возможности и повысить экономическую эффективность.

Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Встраиваемая память Intel StrataFlash (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Встраиваемая флэш-память Intel Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенные функциональные возможности обеспечивают поддержку серийных встраиваемых приложений, которым требуются соответствующие функции и масштабируемость. Флэш-память Intel Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, позволяет упростить конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньшее число выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств, таких как телевизоры, DVD-проигрыватели, ПК, модемы и принтеры.


http://www.cybersecurity.ru/hard/30322.html
Просмотров: 359 | Добавил: karina | Рейтинг: 0.0
Комментарии
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Конструктор сайтовuCoz