Методика, разработанная под руководством профессора Питера Эшберна, сводится к модификации стандартного процесса изготовления биполярных транзисторов путём добавления примеси фтора. Примесь фтора используется для того, чтобы ограничить диффузию бора в базе транзистора. Это, в свою очередь, приводит к уменьшению толщины базы, что позволяет повысить скорость движения электронов.

По заявлениям исследователей, в ходе экспериментов им удалось добиться частоты в 110 ГГц, что в два раза выше предыдущего рекорда для биполярных транзисторов. Учёные подчёркивают, что при некоторых усовершенствованиях технологии диффузия бора в базе может быть уменьшена ещё на 50 процентов.

Биполярные транзисторы широко используются в электронных схемах мобильных телефонов и оборудования для беспроводных сетей. Практическое применение предложенной методики позволит создавать существенно более быстродействующие устройства при незначительном повышении затрат на производство, отмечает Physorg. Впрочем, о возможных сроках внедрения технологии исследователи пока умалчивают.